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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCP51 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 封裝： | BC51-10PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC51-16PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Alwa |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | BCP51 |
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BCP51_BCX51_BC51PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 9 — 13 October 2011
4 of 22
NXP Semiconductors
BCP51; BCX51; BC51PA
45 V, 1 A PNP medium power transistors
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
[5]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
45
45
5
1
2
Unit
V
V
V
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
I
B
I
BM
base current
peak base current
-
-
0.3
0.3
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
T
amb
25
C
P
tot
total power dissipation
BCP51
[1]
-
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
[2]
-
[3]
-
BCX51
[1]
-
[2]
-
[3]
-
BC51PA
[1]
-
[2]
-
[3]
-
[4]
-
[5]
-
T
j
T
amb
T
stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
55
65
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP51-10 | |
| BCX51 | |
| BCX51-10 | |
| BCX51-16 | |
| BC547 | Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCP51 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP51,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP51 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-223 |
| BCP51/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SOT-223 |
| BCP51_07 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors |
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