型號: | BCP51-10 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 功率晶體管 |
中文描述: | Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數: | 16/22頁 |
文件大?。?/td> | 230K |
代理商: | BCP51-10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BCX51 | |
BCX51-10 | |
BCX51-16 | |
BC547 | Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管(NPN)) |
BC546 | Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管(NPN)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BCP51-10 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCP51-10,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCP51-10135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPLR TRANSISTOR MED PWR PNP -45V -1 |
BCP51-10E6327 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
BCP5110E6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |