參數(shù)資料
型號(hào)： BCP49
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 241K
代理商： BCP49
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
5
4=2
3
2
1
Darlington Transistors
BCP 29, BCP 49
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspg.
1
)
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
V
CEsat
–
–
1 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
V
BEsat
–
–
1.5 V
V
CE
= 1 V, I
C
= 0.1 mA
BCP 29
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
4000
–
–
BCP 49
2000
–
–
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
BCP 29
10000
–
–
BCP 49
4000
–
–
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
BCP 29
20000
–
–
BCP 49
10000
–
–
V
CE
= 5 V, I
C
= 500 mA
BCP 29
4000
–
–
BCP 49
2000
–
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
–
200 MHz
–
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance – Wrmewiderstand
C
CB0
–
6.5 pF
–
junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft
R
thA
R
thS
93 K/W
2
)
junction to soldering point – Sperrschicht zu Ltpad
17 K/W
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
BCP 28, BCP 48
Pinning – Anschlubelegung
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