型號: | BC859CBK |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 93K |
代理商: | BC859CBK |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC859BTR13 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BC859ABK | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BSR14TR13 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BSR14BK | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BSR16BK | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC859CE6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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BC859CLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859CLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC859CLT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |