參數(shù)資料
型號: BC859BR
英文描述: Cartridge Fuse; Current Rating:500mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Terminals:Ferrule; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm RoHS Compliant: No
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 186K
代理商: BC859BR
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC859CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BC856 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC856A SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC856B SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC856 Small Signal Transistors (PNP)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC859BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859BTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859BW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC859BW RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2