參數(shù)資料
型號(hào): BC859
廠商: GE Security, Inc.
英文描述: Small Signal Transistors (PNP)(小信號(hào)晶體管(PNP))
中文描述: 小信號(hào)晶體管(民進(jìn)黨)(小信號(hào)晶體管(民進(jìn)黨))
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 231K
代理商: BC859
Collector current
versus base-emitter voltage
mA
10
5
4
-I
C
10
1
0
10
-V
BE
BC856...BC859
2
3
2
5
4
3
2
5
4
3
2
-1
0.5
1 V
-V
CE
= 5 V
T
amb
= 25
°
C
Collector saturation voltage
versus collector current
V
0.5
0.4
-V
CEsat
0.3
0.2
1
0
0.1
-I
C
BC856...BC859
10
2
5
2
5
2
5
10
-1
10 mA
-50
°
C
-I
C
= 20
-I
B
T
amb
=
100
°
C
25
°
C
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC856 THRU BC859
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856 PNP general purpose transistors
BC857 PNP general purpose transistors
BC857CT High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
BC857BT High Speed CMOS Logic Octal D-Type Flip-Flop with Data Enable 20-SOIC -55 to 125
BC857BT-7 Wideband Video Quad SPST
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC859AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859AMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859ATC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC859AW RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2