參數(shù)資料
型號(hào)： BC859
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
中文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 46K
代理商： BC859
1999 May 28
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistors
BC859; BC860
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
Low noise input stages of audio frequency equipment.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complements: BC849 and BC850.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
4B
4C
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
(1)
4F
4G
BC859B
BC859C
BC860B
BC860C
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC859
BC860
collector-emitter voltage
BC859
BC860
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
30
50
V
V
V
CEO
open base
65
65
30
45
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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