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參數(shù)資料
| 型號： | BC858BR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | BC858BR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC859BR | Cartridge Fuse; Current Rating:500mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Terminals:Ferrule; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm RoHS Compliant: No |
| BC859CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC856 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC856A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC856B | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC858BT/R | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC858BT116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BW | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Siemens 功能描述:100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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