型號(hào): | BC858BL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 30V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 186K |
代理商: | BC858BL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC858BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BC859BR | Cartridge Fuse; Current Rating:500mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Terminals:Ferrule; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm RoHS Compliant: No |
BC859CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BC856 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
BC856A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC858BL3E6327 | 功能描述:PNP TRANSISTOR SOT 23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
BC858BL3E6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TSLP T/R |
BC858BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC858BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC858BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |