型號: | BC857CL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 186K |
代理商: | BC857CL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC857CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BC858CL | HDW,FUSE CLIP,5MM DIA FUSE |
BC858CLT | Fuse Holder; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Mounting Type:PC Board; Body Material:Berylium Copper; Current Rating:5A; For Use With:2AG/5x20mm; Leaded Process Compatible:Yes; Terminal Type:Solder Q.C. Terminal; Voltage Rating, AC:125V |
BC858CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BC858W-A | FUSE, 7 AMP SM FUSE+ FUSEHOLDER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC857CLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857CLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857CLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -45V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -45V SOT-23 |
BC857CLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 100mA PNP SILCON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857CM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |