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參數(shù)資料
| 型號： | BC857BR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | BC857BR |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC857CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC858CL | HDW,FUSE CLIP,5MM DIA FUSE |
| BC858CLT | Fuse Holder; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Mounting Type:PC Board; Body Material:Berylium Copper; Current Rating:5A; For Use With:2AG/5x20mm; Leaded Process Compatible:Yes; Terminal Type:Solder Q.C. Terminal; Voltage Rating, AC:125V |
| BC858CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC857BR TR | 功能描述:TRANSISTOR-SMALL SINGAL 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 |
| BC857BRF | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor |
| BC857BRFG | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor |
| BC857BRLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC857BRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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