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參數(shù)資料
| 型號： | BC857 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
| 中文描述： | 小信號晶體管（民進黨）（小信號晶體管（民進黨）） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | BC857 |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC856 THRU BC859
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC858 | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
| BC859 | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
| BC856 | PNP general purpose transistors |
| BC857 | PNP general purpose transistors |
| BC857CT | High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC857 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| BC857.215 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
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