參數(shù)資料
型號: BC856W-B
英文描述: BJT
中文描述: 雙極型晶體管
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 186K
代理商: BC856W-B
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PDF描述
BC857AL TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC857AR TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BC857W-A BJT
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BC857W-C BJT
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參數(shù)描述
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BC856WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
BC856-X-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC856-X-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC857 功能描述:兩極晶體管 - BJT Ep Trans PNP,0.1A,45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2