參數(shù)資料
型號： BC856T
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： BC856T
1999 Apr 26
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T
handbook, full pagewidth
0
10
2
300
200
100
500
400
MBH728
10
1
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE =
5 V
Fig.4 DC current gain; typical values.
BC857CT.
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PDF描述
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BC856AF High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 16-PDIP -55 to 125
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參數(shù)描述
BC856-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 65V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856T T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
BC856T,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856U 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application
BC856UE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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