型號: | BC856BR |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 65V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236 |
文件頁數(shù): | 2/6頁 |
文件大?。?/td> | 186K |
代理商: | BC856BR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC856BWQ62702-C2292 | TRANSISTOR SOT-323 |
BC856CLT1 | PNP Silicon General Purpose Transistors |
BC856ETC | |
BC857BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC857B-MR | TRANSISTOR BC857B MINIREEL 500PCS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC856BRF | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor |
BC856BRFG | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor |
BC856BRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856B-RTK | 制造商:KEC Corporation 功能描述:856-B-RTK |