參數(shù)資料
型號: BC856BR
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 65V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至236
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 186K
代理商: BC856BR
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856BWQ62702-C2292 TRANSISTOR SOT-323
BC856CLT1 PNP Silicon General Purpose Transistors
BC856ETC
BC857BL TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC857B-MR TRANSISTOR BC857B MINIREEL 500PCS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856BRF 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor
BC856BRFG 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:250mW, PNP Small Signal Transistor
BC856BRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BRTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856B-RTK 制造商:KEC Corporation 功能描述:856-B-RTK