型號(hào): | BC856BL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 65V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 186K |
代理商: | BC856BL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC856B-MR | TRANSISTOR BC856B MINIREEL 500PCS |
BC856BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
BC856BWQ62702-C2292 | TRANSISTOR SOT-323 |
BC856CLT1 | PNP Silicon General Purpose Transistors |
BC856ETC | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC856BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
BC856BLT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |