參數(shù)資料
型號: BC856AWT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
中文描述: 高速CMOS邏輯8位3態(tài)輸出通用變換緩存器 SOIC-20封裝 工作溫度:-55℃_125℃
文件頁數(shù): 6/6頁
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代理商: BC856AWT1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856BLT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC856BWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC869-10 Automotive Fuse; Current Rating:25A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
BC86916 Automotive Fuse; Current Rating:30A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
BC86925 Automotive Fuse; Current Rating:7.5A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856AWT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistors
BC856B 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC856B RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23