參數(shù)資料
型號(hào)： BC850W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125
中文描述： 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： BC850W
1999 Apr 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC849W; BC850W
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
e1
HE
Lp
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
1.1
0.8
0.4
0.3
0.25
0.10
2.2
1.8
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.23
0.13
0.2
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT323
SC-70
w
M
bp
D
e1
e
A
B
A1
Lp
Q
detail X
c
HE
E
v
M
A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
A
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT323
97-02-28
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC850W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC849 NPN general purpose transistor
BC850 NPN general purpose transistors
BC850 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC850B-2FZ SOT23 NPN SILICON PLANAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BC850-X-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC850-X-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC850-X-AN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC856 功能描述:兩極晶體管 - BJT Ep Trans PNP,0.1A,65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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