參數(shù)資料
型號(hào)： BC850CLT1
廠商： 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125
中文描述： 高速CMOS邏輯三倍3輸入非門 SOIC-14封裝 工作溫度：-55℃_125℃
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： BC850CLT1
1999 Apr 08
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC849; BC850
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857A.B CMOS Image Sensor
BC857BTT1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
BC857BWQ62702C2294 TRANSISTOR SOT323
BC857CWQ62702C2295 TRANSISTOR SOT323
BC857CWT1 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC850CLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC850CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC850CMTF_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
BC850CT 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors
BC850CT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
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