參數(shù)資料
型號(hào)： BC849
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號(hào)晶體管（NPN）的（小信號(hào)晶體管（NPN）的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： BC849
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
h-Parameters at V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA,
f = 1 kHz,
Small Signal Current Gain
Current Gain Group A
B
C
Input Impedance
Current Gain Group A
B
C
Output Admittance
Current Gain Group A
B
C
Reverse Voltage Transfer Ratio
Current Gain Group A
B
C
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
–
–
–
1.6
3.2
6
–
–
–
–
–
–
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5 · 10
–4
2 · 10
–4
3 · 10
–4
–
–
–
4.5
8.5
15
30
60
110
–
–
–
–
–
–
k
k
k
μ
S
μ
S
μ
S
–
–
–
DC Current Gain
at V
CE
= 5 V, I
C
= 10
μ
A
Current Gain Group A
B
C
at V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Current Gain Group A
B
C
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
–
–
–
110
200
420
90
150
270
180
290
520
–
–
–
220
450
800
–
–
–
–
–
–
Thermal Resistance Junction to Substrate
Backside
R
thSB
–
–
320
1)
K/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
450
1)
K/W
Collector Saturation Voltage
at I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
at I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
V
CEsat
V
CEsat
–
–
90
200
250
600
mV
mV
Base Saturation Voltage
at I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
at I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
V
BEsat
V
BEsat
–
–
700
900
–
–
mV
mV
Base-Emitter Voltage
at V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
at V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
V
BE
V
BE
580
–
660
–
700
720
mV
mV
Collector-Emitter Cutoff Current
at V
CE
= 80 V
at V
CE
= 50 V
at V
CE
= 30 V
at V
CE
= 80 V, T
j
= 125 °C
at V
CE
= 50 V, T
j
= 125 °C
at V
CE
= 30 V, T
j
= 125 °C
BC846
BC847
BC848, BC849
BC846
BC847
BC848, BC849
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
–
–
–
–
–
–
0.2
0.2
0.2
–
–
–
15
15
15
4
4
4
nA
nA
nA
μ
A
μ
A
μ
A
Gain-Bandwidth Product
at V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
f
T
–
300
–
MHz
1)
Device on fiberglass substrate, see layout
BC846 THRU BC849
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848UF CAP .15UF 100V CERAMIC MONO 10%
BC856AT PNP general purpose transistors
BC856BT PNP general purpose transistors
BC856UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856W PNP general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC849AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 110A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC849B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:INF NPN transistor,BC849B 0.1A Ic 5Vce
BC849B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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