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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC849-B-AE3-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)和放大器應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | BC849-B-AE3-R |
BC846-BC850
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-027,C
3 of 4
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
Static Characteristic
0
Collector-Emitter Voltage, V
CE
(V)
8
12
4
16
20
0
20
40
60
80
100
C
C
(
I
B
=400μA
I
B
=350μA
I
B
=300μA
I
B
=250μA
I
B
=200μA
I
B
=150μA
I
B
=100μA
I
B
=50μA
1
100
10
1000
10
100
1000
10000
DC Current Gain
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
V
CE
=5V
1
100
10
1000
10
100
1000
10000
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
S
B
,
C
Collector Current I
C
(mA)
V
CE(sat)
V
BE(SAT)
I
C
=10I
B
0.1
0.8
0.4
1.0
0.1
1
10
100
Base-Emitter on Voltage
C
C
(
Base-Emitter Voltage, V
BE
(V)
0.2
0.6
1.2
V
CE
=2V
1
100
10
0.1
1
10
100
Collector Output Capacitance
C
o
(
Collector-Base Voltage, V
CB(
V)
1000
f=1MHz
0.1
10
1
1
10
100
1000
C
P
T
(
100
V
=5V
Current Gain Bandwidth Product
Collector Current, I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC849-B-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-C-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-C-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849L-A-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849L-A-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC849BE6327 | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BC849BE6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 |
| BC849BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC849BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC849BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter V 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V, Transition Frequency ft:100MHz, Power Dissipation Pd:225mW, DC Collector Current:100mA, DC Current Gain hFE:290, Operating , RoHS Compliant: Yes |
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