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參數(shù)資料
| 型號： | BC848S |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BC848S |
1
) Tested with pulses t
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
13
1
2
3
4
6
5
T1
T2
General Purpose Transistors
BC846S ... BC848S
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspg.
1
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V, T
j
= 150
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacit. – Kollektor-Basis-Kapazitt
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazitt
V
EB
= 0.5 V, I
C
= i
c
= 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
V
CE
= 5 V, I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, f = 1 kHz,
)
f = 200 Hz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
V
CEsat
V
CEsat
–
–
90 mV
200 mV
250 mV
600 mV
V
BEsat
V
BEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
V
BEon
V
BEon
580 mV
–
660 mV
–
700 mV
770 mV
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
15 nA
5
:
A
I
EB0
–
–
100 nA
f
T
100 MHz
–
C
CB0
–
3.5 pF
6 pF
C
EB0
–
9 pF
–
F
–
2 dB
10 dB
R
thA
420 K/W
2
)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
BC856S ... BC858S
Pinning – Anschlubelegung
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC846W | High Speed CMOS Logic Dual 4-Input Multiplexers 16-PDIP -55 to 125 |
| BC846AW | NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC847AW | High Speed CMOS Logic Quad 2-Input Multiplexers 16-SOIC -55 to 125 |
| BC848AW | NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC848BW | High Speed CMOS Logic 4-Bit Bidirectional Universal Shift Register 16-PDIP -55 to 125 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC848-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.1A 30V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SC-70 |
| BC848W /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC848W,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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