參數(shù)資料
型號： BC848CT116
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 346
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 89K
代理商： BC848CT116
BC848BW / BC848B / BC848C
Transistors
3/5
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
1kHz
0.01
1
0.1
10
100
100
1000
10
h
F
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.5 AC current gain vs. collector current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
0.1
1.0
10
100
0.08
0.18
0.16
0.12
0.04
0
V
C
C
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
V
B
B
(
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.7 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
V
B
B
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.8 Grounded emitter propagation
characteristics
Ta
=
25
°
C
I
C
/
I
B
=
10
1.0
10
100
100
1000
10
t
o
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.9 Turn-on time vs. collector
current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
1.0
10
100
100
1000
10
t
r
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.10 Rise time vs. collector
current
V
CC
=
40V
Ta
=
25
°
C
I
C
=
101
B1
=
101
B2
1.0
10
100
100
1000
10
t
S
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.11 Storage time vs. collector
current
V
CE
=
15V
40V
3V
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