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參數(shù)資料
| 型號： | BC848-X-AE3-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| 中文描述： | 開關(guān)和放大器應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | BC848-X-AE3-R |
BC846-BC850
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-027,C
3 of 4
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
Static Characteristic
0
Collector-Emitter Voltage, V
CE
(V)
8
12
4
16
20
0
20
40
60
80
100
C
C
(
I
B
=400μA
I
B
=350μA
I
B
=300μA
I
B
=250μA
I
B
=200μA
I
B
=150μA
I
B
=100μA
I
B
=50μA
1
100
10
1000
10
100
1000
10000
DC Current Gain
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
V
CE
=5V
1
100
10
1000
10
100
1000
10000
Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
S
B
,
C
Collector Current I
C
(mA)
V
CE(sat)
V
BE(SAT)
I
C
=10I
B
0.1
0.8
0.4
1.0
0.1
1
10
100
Base-Emitter on Voltage
C
C
(
Base-Emitter Voltage, V
BE
(V)
0.2
0.6
1.2
V
CE
=2V
1
100
10
0.1
1
10
100
Collector Output Capacitance
C
o
(
Collector-Base Voltage, V
CB(
V)
1000
f=1MHz
0.1
10
1
1
10
100
1000
C
P
T
(
100
V
=5V
Current Gain Bandwidth Product
Collector Current, I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC848-X-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-A-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-A-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-B-AE3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
| BC849-B-AL3-R | SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC849AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC849AW RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC849AW RFG | 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 110A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BC849B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:INF NPN transistor,BC849B 0.1A Ic 5Vce |
| BC849B /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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