參數(shù)資料
型號(hào)： BC847UF
廠商： AUK Corp
英文描述： CAP 1.5UF 250V METAL POLY
中文描述： NPN硅晶體管（通用應(yīng)用交換應(yīng)用）
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： BC847UF
KST-3041-001
2
BC847UF
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
50
V
Collector-Emitter voltage
45
V
Emitter-base voltage
5
V
Collector current
100
mA
Collector dissipation
200
mW
°
C
°
C
Junction temperature
150
Storage temperature
-55~ 150
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C
= 1mA, I
B
= 0
45
-
-
V
Base-Emitter turn on voltage
V
BE(ON)
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
550
-
700
mV
Base-Emitter saturation voltage
V
BE(sat)
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
-
900
-
mV
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
-
-
600
mV
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 35V, I
E
= 0
-
-
15
nA
DC current gain
h
FE
*
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
f= 100MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f= 1MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 200
μ
A,
f= 1KHz, Rg= 2K
110
-
800
-
Transition frequency
f
T
-
150
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
-
-
4.5
pF
Noise figure
NF
-
-
10
dB
* : h
FE
rank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC847 Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
BC848 Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
BC849 Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
BC848UF CAP .15UF 100V CERAMIC MONO 10%
BC856AT PNP general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:180; Operating ;RoHS Compliant: Yes
BC847W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847W_08 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USM PACKAGE
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