參數(shù)資料
型號： BC847
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號晶體管（NPN）的（小信號晶體管（NPN）的）
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： BC847
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
66
BC846 THRU BC849
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Base Capacitance
at V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
C
CBO
–
3.5
6
pF
Emitter-Base Capacitance
at V
EB
= 0.5 V, f = 1 MHz
C
EBO
–
9
–
pF
Noise Figure
at V
CE
= 5 V, I
C
= 200
μ
A, R
G
= 2 k
,
f = 1 kHz,
f = 200 Hz
BC846, BC847, BC848
BC849
at V
CE
= 5 V, I
C
= 200
μ
A, R
G
= 2 k
,
f = 30…15000 Hz
BC849
F
F
F
–
–
–
2
1.2
1.4
10
4
4
dB
dB
dB
Layout for R
thJA
test
Thickness: Fiberglass 0.059 in (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in (0.3 mm)
.59 (15)
0.2 (5)
.03 (0.8)
.30 (7.5)
.12 (3)
.04 (1)
.06 (1.5)
.20 (5.1)
.08 (2)
.08 (2)
.04 (1)
Dimensions in inches (millimeters)
.47 (12)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848 Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）)
BC849 Small Signal Transistors (NPN)(小信號晶體管（NPN）)
BC848UF CAP .15UF 100V CERAMIC MONO 10%
BC856AT PNP general purpose transistors
BC856BT PNP general purpose transistors
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參數(shù)描述
BC847 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
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