參數(shù)資料
型號(hào)： BC846BS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
中文描述： 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： BC846BS
BC846BS_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 24 August 2009
4 of 12
NXP Semiconductors
BC846BS
65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor
7.
Characteristics
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2.
Per transistor: Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration;
typical values
006aab619
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
10
2
10
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
δ
= 1
0.75
0.50
0.33
0.10
0.05
0.02
0.01
0
0.20
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Per transistor
I
CBO
collector-basecut-off
current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CB
= 50 V; I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
= 6 V; I
C
= 0 A
-
-
-
-
15
5
nA
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
V
CE
= 5 V
I
C
= 10
μ
A
I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA; I
B
= 5 mA
V
CE
= 5 V
I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA
-
200
-
-
-
-
280
300
55
200
755
1000
-
450
100
300
850
-
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
mV
mV
mV
mV
V
BEsat
base-emitter
saturation voltage
V
BE
base-emitter voltage
580
-
650
-
700
770
mV
mV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846DS 65 V, 100 mA NPN-NPN general-purpose transistor
BC846S High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer 16-SOIC -55 to 125
BC847S Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC848S High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846W High Speed CMOS Logic Dual 4-Input Multiplexers 16-PDIP -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BC846BS/ZLF 功能描述:TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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