參數(shù)資料
型號： BC846BPN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA NPN-PNP general-purpose transistor
中文描述： 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/15頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： BC846BPN
BC846BPN_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 July 2009
6 of 15
NXP Semiconductors
BC846BPN
65 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor
V
BEsat
base-emitter
saturation voltage
I
C
=
10 mA;
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA
V
CE
=
5 V
I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA
-
755
850
mV
-
900
-
mV
V
BE
base-emitter voltage
600
-
-
650
-
2.3
750
820
-
mV
mV
pF
C
c
collector capacitance V
CB
=
10 V;I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
emitter capacitance
V
EB
=
0.5 V;
I
C
= i
c
= 0 A; f = 1 MHz
transition frequency
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA;
f = 100 MHz
noise figure
V
CE
=
5 V; I
C
=
0.2 mA;
R
S
= 2 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
V
CE
=
5 V; I
C
=
0.2 mA;
R
S
= 2 k
; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
C
e
-
10
-
pF
f
T
100
-
-
MHz
NF
-
1.6
-
dB
-
2.9
-
dB
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 3.
TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
T
amb
= 25
°
C
Fig 4.
TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
006aaa533
200
400
600
h
FE
0
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
1
(3)
(1)
(2)
006aaa532
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 4.50
2.70
2.25
3.15
4.05
3.60
0.45
0.90
1.35
1.80
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