參數(shù)資料
型號： BC817L-40-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
中文描述： 1500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： BC817L-40-AE3-R
BC817
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3
QW-R206-025.B
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
500
400
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
2
V
CE
= 5V
125
25
-40
T
F
Typical Pulsed Current Gain vs Collector Current
0.01
0.1
3
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
= 10
25
-40
125
Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
C
C
(
Collector Current, I
C
(A)
Collector Current, I
C
(A)
= 10
-40
25
125
1
10
100
1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Base-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
B
B
(
0.001
0.01
0.1
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
150
-40
25
V
CC
= 5V
Base-Emitter On Voltage vs Collector Current
B
B
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(A)
C
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
V
CB
= 40V
Collector-Cutoff Current vs Ambient Temperature
C
C
(
Ambient Temperature, T
A
(
)
0
4
12
8
16
20
24
28
0
10
20
30
40
Collector-Base Capacitance vs Collector-Base Voltage
Collector-Base Voltage, V
CB
(V)
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PDF描述
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