參數(shù)資料
型號： BC817-25LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： BC817-25LT1
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BC817-16 thru BC817-40
相關PDF資料
PDF描述
BC817-40LT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC817W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC846CW NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC846UF NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847BS-7 DUAL NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BC817-25LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817-25LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SOT23 GP XSTR NPN 45V
BC817-25LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BC817-25LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817-25LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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