參數(shù)資料
型號： BC817-16LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： BC817-16LT1
www.
mc c semi
.c om
M C C
BC817-16 thru BC817-40
Electrical Characteristics
@25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
V
CE
= 1.0V, I
C
= 100mA
DC Current Gain
Current Gain Group -16
-25
-40
Current Gain Group -16
-25
-40
h
FE
100
160
250
60
100
170
250
400
600
—
—
—
—
V
CE
= 1.0V, I
C
= 300mA
Thermal Resistance, Junction to Substrate Backside
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
R
q
SB
R
q
JA
V
CE(SAT)
V
BE
—
—
—
—
320
400
0.7
1.2
100
5.0
100
K/W
K/W
V
V
nA
μA
nA
Note 1
Note 1
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 1.0V, I
C
= 300mA
V
CE
= 45V
V
CE
= 25V, T
j
= 150°C
V
EB
= 4.0V
V
= 5.0V, I
C
= 10mA,
f = 50MHz
V
CB
= 10V, f = 1.0MHz
Collector-Emitter Cutoff Current
I
CES
—
Emitter-Base Cutoff Current
I
EBO
—
Gain Bandwidth Product
f
T
100
—
MHz
Collector-Base Capacitance
C
CBO
—
12
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC817-25LT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC817-40LT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
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BC846CW NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BC817-16LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC817-16LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC817-16LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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