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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC817-16-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | BC817-16-13 |
DS11107 Rev. 11 - 2
2 of 3
BC817-16/-25/-40
www.diodes.com
10
100
1000
1
10
100
1000
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Gain-Bandwidth Product vs Collector Current
T = 25
°C
A
f = 20MHz
V
= 5V
CE
1V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
110
V
,
COLLECT
O
R
S
A
T
URA
TION
VOL
T
AGE
(V)
CE(SA
T)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, Collector Sat. Voltage vs Collector Current
typical
limits
at T = 25
°C
A
I / I = 10
CB
150
°C
25
°C
-50
°C
100
1000
0.1
10
100
1000
110
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, DC Current Gain vs Collector Current
V
= 1V
CE
150
°C
T = 25
°C
A
-50
°C
100
1000
0.1
0
100
200
300
400
500
01
2
I
,
COLLECT
O
R
CURRENT
(mA)
C
V
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
CE
Fig.5, Typical Emitter-Collector Characteristics
3.2
2.8
2
1.4
1.2
I = 0.2mA
B
0.8
0.6
0.4
1.6
2.4
1.8
0
20
40
60
80
100
010
20
I
,
COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
C
V
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
CE
Fig.6, Typical Emitter-Collector Characteristics
I = 0.05mA
B
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0
100
200
300
400
0
100
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
d
T
, SUBSTRATE TEMPERATURE (
°C)
SB
Fig. 1, Power Derating Curve
See Note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC817TR13LEADFREE | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC817TR13 | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC817.40BK | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC817.25TR13 | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC817.16BK | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BC817-16-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC817-16-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC817-16-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
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