參數(shù)資料
型號： BC637
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 43K
代理商： BC637
1999 Apr 23
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BC635; BC637; BC639
handbook, full pagewidth
0
10
1
80
120
40
MBH729
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE = 2 V
Fig.2 DC current gain; typIcal values.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC639 NPN medium power transistors
BC637 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
BC637-16 NPN medium power transistors
BC639-10 NPN medium power transistors
BC639-16 NPN medium power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC637 WAF 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
BC637 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
BC637_01 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC637_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors
BC637_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*