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PDF目錄369424
> BC636 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
BC636
英文描述:
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
中文描述:
互補(bǔ)硅晶體管
文件頁數(shù):
1/8頁
文件大?。?/td>
43K
代理商:
BC636
當(dāng)前第1頁
第2頁
第3頁
第4頁
第5頁
第6頁
第7頁
第8頁
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 07
1999 Apr 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC636; BC638; BC640
PNP medium power transistors
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC637
NPN medium power transistors
BC639
NPN medium power transistors
BC637
COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
BC637-16
NPN medium power transistors
BC639-10
NPN medium power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC636 T/R
功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC636,116
功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC636
制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92
BC636/D
制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Current Transistor PNP
BC636_05
制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
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