| 型號: | BC557 |
| 廠商: | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述: | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述: | 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 286K |
| 代理商: | BC557 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC557A | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC557B | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC558 | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC556 | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
| BC556B | PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC557 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557,112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC557 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
| BC557 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |