參數(shù)資料
型號(hào)： BC448B
廠(chǎng)商： Continental Device India Limited
英文描述： PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： BC448B
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC 446, A, B
BC 448, A, B
BC 450, A, B
TO-92
Plastic Package
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter BreakdownVoltage
BC446
BC448
BC450
Collector Base Breakdown Voltage
BC446
BC448
BC450
Emitter Base Breakdown Voltage
Collector-Cut off Current
BC446
BC448
BC450
SYMBOL TEST CONDITION
BV
CEO
* I
C
=1mA,I
B
=0
MIN
TYP
MAX
UNITS
60
80
100
V
V
V
BV
CBO
I
C
=100uA, I
E
=0
60
80
100
5
V
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
I
E
=10uA, I
C
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
100
100
100
nA
nA
nA
DC Current Gain
h
FE
*
NON SUFFIX
I
C
=2mA,V
CE
=5V
50
120
180
50
100
160
460
220
460
A
B
NON SUFFIX
I
C
=2mA,V
CE
=5V
A
B
NON SUFFIX
I
C
=100mA,V
CE
=5V
50
60
90
A
B
Collector Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
=100mA,I
B
=10mA
0.25
V
Base Emitter Saturation Voltage
Base Emitter On Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
I
C
=100mA,I
B
=10mA
I
C
=2mA,V
CE
=5V
I
C
=100mA,V
CE
=5V*
0.85
V
V
V
0.55
0.70
1.2
DYNAMICS CHARACTERISTICS
Transition Frequency
f
T
I
C
=50mA, V
CE
=5V
f=100MHz
100
MHz
Pulse Test : Pulse width < 300
μ
s, Duty Cycle <2%.
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC51-10PA 45 V, 1A PNP medium power transistors
BC51-16PA 45 V, 1A PNP medium power transistors
BC51PA 45 V, 1A PNP medium power transistors
BCP51
BCP51-10
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參數(shù)描述
BC44-8-R70-S-04 制造商:Chilisin Electronics Corp 功能描述:ELECTRONIC COMPONENT 制造商:Yageo Corporation 功能描述:ELECTRONIC COMPONENT
BC449 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC449A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC449AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 300mA 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC449B 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-92
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