參數(shù)資料
型號: BC394
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Small Signal Transistors
中文描述: 180 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 75K
代理商: BC394
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
I
CBO
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector Cutoff Current
(I
E
= 0)
V
CB
= 100 V
V
CB
= 100 V
T
amb
= 150
°
C
50
50
nA
μ
A
V
(BR) CBO
Collector-base Breakdown
Voltage (I
E
= 0)
Collector-emitter Breakdown
Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Breakdown
Voltage (I
C
= 0)
Collector-emitter Saturation
Voltage
I
C
= 100
μ
A
180
V
V
(BR) CEO
*
I
C
= 10 mA
180
V
V
(BR) EBO
I
E
= 100
μ
A
6
V
V
CE (sat) *
I
C
= 10 mA
I
C
= 50 mA
I
B
= 1 mA
I
B
= 5 mA
200
400
300
mV
mV
V
BE (sat) *
Base-emitter Saturation
Voltage
I
C
= 10 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 10 mA
I
B
= 1 mA
I
B
= 5 mA
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
750
850
85
100
95
900
mV
mV
h
FE
*
DC Curent Gain
30
50
f
T
Transition frequency
Collector-base
Capacitance
MHz
C
CBO
I
E
= 0
f = 1 MHz
V
CB
= 10 V
5
pF
* Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1 %.
DC Current.
Collector-emitter Saturation Voltage.
THERMAL DATA
R
th j-case
R
th j-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
125
440
°
C/W
°
C/W
BC394
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PDF描述
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