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參數(shù)資料
| 型號： | BC317B |
| 英文描述： | MAX 7000 CPLD 64 MC 100-TQFP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | BC317B |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC317 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC351 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC368 | NPN medium power transistor |
| BC368 | COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| BC368-10 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC318 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BC318A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BC318B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| BC318C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC318C_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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