參數(shù)資料
型號： BC307VI
英文描述： IC FLEX 10K FPGA 10K 144-TQFP
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至226AA
文件頁數(shù)： 1/4頁
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代理商： BC307VI
相關PDF資料
PDF描述
BC308VI CPLD, MAX 7000, 64 MACROCELLS, TQFP100; Logic IC family:CPLD (EPLD); Logic IC Base Number:7064; Logic IC function:EPM7064S; Voltage, supply:5V; Case style:TQFP; Gates, No. of:1250; I/O lines, No. of:68; Macrocells, No. of:64; Pins, RoHS Compliant: Yes
BC307 PNP general purpose transistors
BC307 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC307B PNP general purpose transistors
BC415C TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BC308 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308_98 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE
BC308_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC308_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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