參數(shù)資料
型號： BC238
英文描述： NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 70K
代理商： BC238
BC107
BC108
LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The
BC107 and BC108 are silicon planar
epitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.
They are suitable for use in driver stages, low
noise input stages and signal processing circuits
of television reveivers. The PNP complemet for
BC107 is BC177.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
November 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BC107
50
45
6
BC108
30
20
5
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Total Dissipation at T
amb
≤
25
o
C
V
V
V
100
0.3
0.75
mA
W
W
o
C
o
C
at T
case
≤
25
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
-55 to 175
175
TO-18
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC239 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC319 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BC107C TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA
BC107DCSM NPN
BC168A IC APEX 20KE FPGA 400K
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參數(shù)描述
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BC238_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC238A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 100mA HFE/22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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