參數(shù)資料
型號(hào)： BC237
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, LOW NOISE AMPLIFIER)
中文描述： 外延平面NPN晶體管（通用型，低噪聲放大器）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC237
1997 Sep 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC237; BC237B
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
50
45
6
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
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PDF描述
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