參數(shù)資料
型號(hào)： BAV303-TR
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin MicroMELF T/R
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 250 Volt 625mA
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 81K
代理商： BAV303-TR
BAV300, BAV301, BAV302, BAV303
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 2.1, 01-Aug-12
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2
Document Number: 85545
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
Thermal resistance junction to ambient air
Mounted on epoxy-glass
hard tissue, fig. 4
35 μm copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
R
thJA
500
K/W
Junction temperature
T
j
175
°C
Storage temperature range
T
stg
- 65 to + 175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward voltage
I
F
= 100 mA
V
F
1000
mV
Reverse current
V
R
= 50 V
BAV300
I
R
100
nA
V
R
= 100 V
BAV301
I
R
100
nA
V
R
= 150 V
BAV302
I
R
100
nA
V
R
= 200 V
BAV303
I
R
100
nA
T
j
= 100 °C, V
R
= 50 V
BAV300
I
R
15
μA
T
j
= 100 °C, V
R
= 100 V
BAV301
I
R
15
μA
T
j
= 100 °C, V
R
= 150 V
BAV302
I
R
15
μA
T
j
= 100 °C, V
R
= 200 V
BAV303
I
R
15
μA
Breakdown voltage
I
R
= 100 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
BAV300
V
(BR)
60
V
BAV301
V
(BR)
120
V
BAV302
V
(BR)
200
V
BAV303
V
(BR)
250
V
Diode capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
D
1.5
pF
Differential forward resistance
I
F
= 10 mA
r
f
5
Reverse recovery time
I
F
= I
R
= 30 mA, i
R
= 3 mA,
R
L
= 100
t
rr
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAV302-TR3 SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel
BAV303-TR3 SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel
BAV300-TR3 SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel
BAV301-TR3 SWITCHING DIODE GENPURP MICROMELF-E2 - Tape and Reel
BAV300-TR Diode Small Signal Switching 60V 0.25A 2-Pin MicroMELF T/R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAV303-TR3 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 250 Volt 625mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV45 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON PICOAMPERE DIODE
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BAV5004WS-7 功能描述:DIODE GP 350V 300MA SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:350V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.29V @ 200mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 240V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應(yīng)商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BAV5005LP-7B 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 300MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:300mA（DC） 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 240V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:0.9pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:X1-DFN1006-2 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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