參數(shù)資料
型號： BAV21W-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin SOD-123 T/R
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 200V 625mA 1A IFSM
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BAV21W-V-GS08
BAV19WS-G, BAV20WS-G, BAV21WS-G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.1, 02-Jul-13
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com
,
DiodesAsia@vishay.com
,
DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc91000
2
Document Number: 83423
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 2 -
Admissible Forward Current vs. Ambient Temperature
Fig. 3 -
Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig. 4 -
Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 100 V
V
R
= 100 V, T
j
= 100 °C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V, T
j
= 100 °C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V, T
j
= 100 °C
Dynamic Forward resistance
I
F
= 10 mA
Diode capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 30 mA, I
R
= 30 mA,
i
R
= 3 mA, R
L
= 100
PART
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
r
f
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
1
1.25
100
15
100
15
100
15
UNIT
V
V
nA
μA
nA
μA
nA
μA
pF
Forward voltage
Leakage current
BAV19WS-G
BAV20WS-G
BAV21WS-G
BAV19WS-G
BAV20WS-G
BAV21WS-G
5
1.5
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
18858
1000
100
10
1
0.1
0.01
I
w
a
u
r
F
0
0.4
0.6
0.8
1
0.2
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
T
j
= 100 °C
25 °C
0.1
0.2
0.3
0
0 30 60 90 120
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
150
18859
I
b
l
w
a
u
r
O
F
I
C
u
rrent (rectif.)
O
DC c
u
rrent I
F
200
18864
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
250
200
150
100
50
20 40 60 80 100 120 140 160 180
0
0
P
-
b
l
w
e
t
r
w
a
f
(
10
100
1
1
100
10
18861
I
F
- For
w
ard C
u
rrent (mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAV21W-V-GS18 Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin SOD-123 T/R
BAV20WS-V-GS18 BAV19WS-V-G, BAV20WS-V-G, BAV21WS-V-G Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV21WS-V-GS18 Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R
BAV20WS-V-GS08 Diode Small Signal Switching 200V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R
BAV21WS Surface mount Small Signal Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAV21W-V-GS18 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 200V 625mA 1A IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 250V 0.225A 4-Pin (3+Tab) SOT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 250V 0.225A 4-Pin (3+Tab) SOT Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL SOT-143 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL, SOT-143
BAV23 /T3 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV23,215 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) SW DBL 200V 225MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAV23,235 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*