參數(shù)資料
型號(hào)： BAV200
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 55K
代理商： BAV200
BAV200...BAV203
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
2 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85544
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Test Conditions
I
F
=100mA
V
R
=50V
V
R
=100V
V
R
=150V
V
R
=200V
T
j
=100 C, V
R
= 50V
T
j
=100 C, V
R
= 100V
T
j
=100 C, V
R
= 150V
T
j
=100 C, V
R
= 200V
I
=100 A, t
p
/T=0.01,
R
t
p
=0.3ms
Type
Symbol
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
r
f
Min
Typ
Max
1
100
100
100
100
15
15
15
15
Unit
V
nA
nA
nA
nA
A
A
A
A
V
V
V
V
pF
BAV200
BAV201
BAV202
BAV203
BAV200
BAV201
BAV202
BAV203
BAV200
BAV201
BAV202
BAV203
Breakdown voltage
60
120
200
250
Diode capacitance
Differential forward
resistance
Reverse recovery time
V
R
=0, f=1MHz
I
F
=10mA
1.5
5
I
F
=I
R
=30mA, i
R
=3mA,
R
L
=100
t
rr
50
ns
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
80
120
160
0.01
0.1
1
10
1000
I
R
200
94 9084
100
Scattering Limit
V
R
=V
RRM
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.0
94 9085
Scattering Limit
T
j
=25
°
C
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
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