參數資料
型號： BAV20-TR
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： BAV17, BAV18, BAV19, BAV20, BAV21 Small Signal Switching Diodes, High Voltage
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) 200V If/250mA T/R
文件頁數： 2/4頁
文件大小： 76K
代理商： BAV20-TR
BAV17, BAV18, BAV19, BAV20, BAV21
Vishay Semiconductors
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Rev. 1.8, 06-May-13
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2
Document Number: 85543
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 2 -
Forward Current vs. Forward Voltage
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
TEST CONDITION
l = 4 mm, T
L
= constant
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
VALUE
300
175
- 65 to + 175
UNIT
K/W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
Forward voltage
I
F
= 100 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 20 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 50 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 100 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 150 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 200 V
PART
SYMBOL
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
V
(BR)
C
D
r
f
MIN.
TYP.
MAX.
1
100
100
100
100
100
15
15
15
15
15
UNIT
V
nA
nA
nA
nA
nA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
pF
Reverse current
BAV17
BAV18
BAV19
BAV20
BAV21
BAV17
BAV18
BAV19
BAV20
BAV21
BAV17
BAV18
BAV19
BAV20
BAV21
Breakdown voltage
I
R
= 5 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
25
60
120
200
250
Diode capacitance
Differential forward resistance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz,
I
F
= 10 mA
I
F
= I
R
= 30 mA, i
R
= 3 mA
R
L
= 100
1.5
5
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
0
40
80
120
160
0.01
0.1
1
10
1000
I
v
e
u
r
R
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
200
94 9084
100
Scattering Limit
V
R
=
V
RRM
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
w
a
u
r
F
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
2.0
94 9085
Scattering Limit
T
j
= 25 °C
相關PDF資料
PDF描述
BAV21-TAP Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin DO-35 Ammo
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BAV19-TAP Diode Small Signal Switching 120V 0.25A 2-Pin DO-35 Ammo
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參數描述
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