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參數(shù)資料
| 型號： | BAV19W-V-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3 - Tape and Reel |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 120 Volt 625mA |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | BAV19W-V-GS08 |
BAV19W-G, BAV20W-G, BAV21W-G
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.3, 13-May-13
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2
Document Number: 85188
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 2 -
Admissible Forward Current vs. Ambient Temperature
Fig. 3 -
Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig. 4 -
Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 100 V
V
R
= 100 V, T
j
= 100 °C
V
R
= 150 V
V
R
= 150 V, T
j
= 100 °C
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V, T
j
= 100 °C
Dynamic forward resistance
I
F
= 10 mA
Diode capacitance
V
R
= 0, f = 1 MHz
I
F
= 30 mA, I
R
= 30 mA,
i
R
= 3 mA, R
L
= 100
PART
SYMBOL
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
r
f
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
1
1250
100
15
100
15
100
15
UNIT
V
mV
nA
μA
nA
μA
nA
μA
pF
Forward voltage
Leakage current
BAV19W-G
BAV19W-G
BAV20W-G
BAV20W-G
BAV21W-G
BAV21W-G
5
1.5
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
18858
1000
100
10
1
0.1
0.01
I
w
a
u
r
F
0
0.4
0.6
0.8
1
0.2
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
T
j
= 100 °C
25 °C
0.1
0.2
0.3
0
0 30 60 90 120
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
150
18859
I
b
l
w
a
u
r
O
F
I
C
u
rrent (rectif.)
O
DC c
u
rrent I
F
21937
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
P
t
b
l
w
e
0
100
200
300
400
500
600
0
20
40
60
80
100
120
140
r
w
a
f
(
10
100
1
1
100
10
18861
I
F
- For
w
ard C
u
rrent (mA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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