- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385119 > BAV103-GS08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BAV103-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Diode Small Signal Switching 250V 0.25A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 1.0 Amp 250 Volt |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | BAV103-GS08 |
BAV100, BAV101, BAV102, BAV103
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
Rev. 1.7, 31-Jul-12
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com
,
DiodesAsia@vishay.com
,
DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc91000
2
Document Number: 85542
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Reverse Current vs. Junction Temperature
Fig. 2 -
Forward Current vs. Forward Voltage
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to lead
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJL
VALUE
350
UNIT
K/W
Thermal resistance junction to ambient air
On PC board
50 mm x 50 mm x 1.6 mm
R
thJA
500
K/W
Junction temperature
Storage temperature range
T
j
175
°C
°C
T
stg
- 65 to + 175
ELECTRICAL
PARAMETER
Forward voltage
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
V
R
= 200 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 50 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 100 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 150 V
T
j
= 100 °C, V
R
= 200 V
I
R
= 100 μA, t
p
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
I
R
= 100 μA, t
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
I
R
= 100 μA, t
/T = 0.01,
t
p
= 0.3 ms
V
R
= 0 V, f = 1 MHz,
V
HF
= 50 mV
I
F
= 10 mA
I
F
= I
R
= 30 mA,
i
R
= 3 mA, R
L
= 100
PART
SYMBOL
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
MIN.
TYP.
MAX.
1000
100
100
100
100
15
15
15
15
UNIT
mV
nA
nA
nA
nA
μA
μA
μA
μA
Reverse current
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
Breakdown voltage
BAV100
V
(BR)
60
V
BAV101
V
(BR)
120
V
BAV102
BAV103
V
(BR)
V
(BR)
200
250
V
V
Diode capacitance
C
D
1.5
pF
Differential forward current
r
f
5
Reverse recovery time
t
rr
50
ns
0
40
80
120
160
0.01
0.1
1
10
1000
I
v
e
u
r
R
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
200
94 9084
100
Scattering Limit
V
R
=
V
RRM
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
w
a
u
r
F
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
2.0
94 9085
Scattering Limit
T
j
= 25 °C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAV101-GS18 | Diode Small Signal Switching 120V 0.25A 2-Pin Mini-MELF SOD-80 T/R |
| BAV102-GS18 | BAV100, BAV101, BAV102, BAV103 Small Signal Switching Diodes, High Voltage |
| BAV116-7 | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAV116W | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAV116T | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAV103-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 250V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAV103-IR08 | 功能描述:Diode Standard 200V 250mA (DC) Surface Mount SOD-80 MiniMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):上次購買時間 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC） 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80 MiniMELF 工作溫度 - 結:175°C（最大） 標準包裝:2,500 |
| BAV103L1 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Small Signal Switching 250V 0.2A |
| BAV103-T | 功能描述:整流器 250mA 250V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BAV103T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE-7 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 250V 0.25A 2-Pin Mini-MELF T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。