參數資料
型號： BAV100
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Diodes
中文描述： 硅外延平面二極管
文件頁數： 6/8頁
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代理商： BAV100
1996 Sep 17
6
Philips Semiconductors
Product specification
General purpose diodes
BAV100 to BAV103
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
100
Tj (
o
C)
200
3
10
2
10
1
10
2
10
1
MGD009
V
R
= V
Rmax
.
Solid line; maximum values.
Dotted line; typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
10
20
1.4
1.0
0.8
1.2
MGD005
VR (V)
Fig.7
Maximum permissible continuous reverse
voltage as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
0
200
0
100
200
MBG700
100
(1)
(4)
VR
(V)
Tamb (
o
C)
(2)
(3)
(1) BAV103.
(2) BAV102.
(3) BAV101.
(4) BAV100.
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