參數(shù)資料
型號(hào)： BAT42W-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 369K
代理商： BAT42W-GS18
www.vishay.com
2
Document Number 85661
Rev. 1.3, 30-Mar-06
BAT42W / BAT43W
Vishay Semiconductors
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to ambient air
1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Reverse breakdown voltage
1)
Pulse test t
p
< 300 μs
θ
< 2 %
Test condition
Symbol
R
thJA
T
j
T
amb
T
stg
Value
300
1)
125
Unit
K/W
Junction temperature
°C
Ambient operating temperature range
- 55 to + 125
°C
Storage temperature range
- 55 to + 150
°C
Test condition
Part
Symbol
V
(BR)R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
t
rr
Min
30
Typ.
Max
Unit
V
I
R
= 100 μA (pulsed)
V
R
= 25 V
V
R
= 25 V, T
j
= 100 °C
I
F
= 200 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 2 mA
I
F
= 15 mA
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, I
R
= 10 mA,
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
Ω
R
L
= 15 k
Ω
, C
L
= 300 pF,
f = 45 MHz, V
RF
= 2 V
Leakage current
1)
0.5
μA
100
μA
Forward voltage
1)
1000
mV
BAT42W
400
mV
BAT42W
650
mV
BAT43W
260
330
mV
BAT43W
450
mV
Diode capacitance
7
pF
Reverse recovery time
5
ns
Detection efficieny
η
v
80
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAT54W 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT85-TR 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAV103 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAV170T-13 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
BAV19WRH 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
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BAT42WS _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAT42WS RR 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Small Signal Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-323F T/R
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