參數(shù)資料
型號(hào)： BAS70-07
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
中文描述： 小信號(hào)肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： BAS70-07
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
IM(A)
Ta=50°C
Ta=25°C
Ta=100°C
t(s)
I
M
t
δ
=0.5
Fig.3 :
Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values).
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(μA)
Tj=25°C
Tj=100°C
VR(V)
Fig.5 :
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
Zth(j-a)/Rth(j-a)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Single pulse
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (alumine
substrate 10mm x 8mm x 0.5mm).
0
25
50
75
100
125
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
IR(μA)
VR=70V
Tj(°C)
Fig.6 :
Reverse leakage current versus junction
temperature (typical values).
1
10
100
0.1
1.0
2.0
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig.7 :
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1E-4
1E-3
1E-2
7E-2
IFM(A)
Tj=100°C
Typical values
Tj=25°C
Maximum values
Tj=25°C
Typical values
VFM(V)
Fig.8 :
Forward voltage drop versus forward
current.
BAS70-07
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS70A-AE3-R SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAS70-AE3-R SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAS70AL-AE3-R SCHOTTKY BARRIER DIODES
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BAS70CL-AE3-R SCHOTTKY BARRIER DIODES
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參數(shù)描述
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BAS70-07215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 70V SOT-143B
BAS7007E6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BAS70-07E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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